Intel与Micron Technology于本月17日发布了新的NAND闪存产品,这是一款每个存储单元可以存下3bit数据,采用Triple Level Cell的容量为64Gbit的新NAND闪存,与采用Multi Level Cell的同容量老产品相比,体积大约缩小了20%,尺寸仅为131平方毫米,制造工艺为25nm。
Intel与Micron Technology共同开发的新NAND闪存
目前,这种新闪存已经进入最终研发阶段,大量生产指日可待。