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三星电子宣布在全球范围内首家使用30nm新工艺开始了两种新型NAND闪存芯片的大规模量产,其一是3-bit MLC NAND,其二是异步DDR 32Gb MLC NAND。
相比于目前的2-bit规格,这种30nm 3-bit MLC NAND闪存芯片的数据存储效率可提升50%,将大大提升MLC NAND闪存设备的容量,并有利于降低成本。
三星表示,新闪存初期会结合其自家的3-bit NAND控制器,用来制造8GB MicroSD存储卡,之后还会用于制造U盘。
30nm DDR MLC NAND闪存支持双倍数据率传输,能大幅提高读取性能,可用于对读写速度和存储空间都有较高要求的设备,包括智能手机上的高级SD存储卡、PC上的固态硬盘,以及便携式媒体播放器(PMP)、MP3播放器、车载导航系统(CNS)等等。
目前单倍数据率SDR MLC NAND的最高读取速度只有40Mbps,新的DDR MLC NAND则提高了两倍多,可达133Mbps。基于此,存储卡的读取速度可从平均17Mbps提升到60Mbps。
两种新型闪存芯片的量产都始于11月底,并已陆续向大型OEM厂商供货。
另根据市场调研机构Gartner Dataquest的预测,2009年全球NAND闪存市场总价值将有138亿美元,2012年更是可达236亿美元。