近日，随着台积电2nm工艺进度的曝光，三星的相关进度也逐渐被媒体曝光。近日有韩媒称三星计划于2025年量产基于GAA的2nm芯片，以追赶台积电的步伐。

　　在近期的一次技术峰会上，台积电公布了自己的3nm、2nm的相关进度。台积电表示：3nm工艺将会在今年下半年投产，2nm工艺将会在2025年投产。3nm头批的产能已经被苹果、高通、联发科等厂商预定一空，有消息称，为了保证生产进度台积电在台南的生产中心新建了四座工厂，每座工厂的花费大概在100亿美元左右，将会全部用来制造3nm芯片。

　　根据台积电公布的进度图显示，台积电3nm技术将会使用多年，而且随着时间的推进，台积电3nm工艺将会出现多个版本：N3、N3E、N3B......等等，根据业界预测，首批量产版本有可能会是N3B版本，将会率先用在苹果的M2 Pro芯片上。然后2023年，台积电将会投产N3E工艺，用以生产苹果的M2 Max/Ultra芯片。

　　至于2nm工艺，台积电规划图显示将会在2025年正式量产，台积电给它的命名叫做“N2”,采用的技术被称为环绕栅极晶体管(GAAFET) ，台积电还表示N2不仅有面向移动处理器的标准工艺，还会有针对高性能运算和小芯片（Chiplet）的整合方案。

　　相关机构研究了目前的技术演变进度之后表示：台积电应该会是第一个量产2nm工艺的代工厂，但是三星也不会落后太多。同时为抢夺更多的市场份额，提升自己的竞争优势，不但在进度上仅仅追赶台积电，三星在新技术下放方面表现的会更加激进，有望将GAAFET技术率先应用在3nm工艺上，早于台积电的2025年。

　　同时，这也意味着从现在到2025年这三年时间三星将独享此种技术工艺，这也成为了三星抢占芯片市场的重要机会。

　　关于2nm制程工艺的优势，台积电透露，在相同功耗下，2nm的速度增快10%-15%；在相同速度下，功耗降低25%-30%。（北方网综合）