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Intel i7处理器已经上市许久,性能独步目前处理器市场而未逢敌手。除了拥有先进的核心架构,还和它们内置的双通道/三通道内存控制器的高效能不无关系。与此同时,内存也在与时俱进,由DDR2升级到DDR3,出现了又一次革新。从Intel和AMD的平台发展蓝图看,2010年DDR2内存和DDR3内存将平分秋色,而明年将是DDR3内存大展拳脚的一年。
DDR3内存相比DDR2内存有着更低的工作电压,从DDR2内存的1.8V降至1.5V,电压的降低,不仅让内存拥有更好的电气特性,而且更为节能。同时,DDR3内存还把预读取设计位数从4bit提升至8bit,让内存运行频率大幅提升成为可能。当然,除此之外我们还是要回归本源,再好的处理器也是需要内存高效稳定的表现。
谈到内存产品的高效稳定,绝不能回避的是内存本身的制造工艺、颗粒、PCB等关键部件。我们以记忆内存为例,为大家阐述高性能内存产品必备的选择条件。
记忆内存外观
记忆内存采用金手指30mil的镀金工艺,并把这一特征命名为千足金。厚重的镀金层不仅可以提供稳定的数据传输通道,同时还能达到出色的抗氧化的效果,从而进一步提升内存的稳定性。
记忆内存PCB电路板
目前大多数厂商都采用的是传统6层PCB电路板设计,其实这样的设计理论上已经可以满足内存平稳运行的需要,但记忆内存却采用8层PCB设计。更多的PCB层数可以有更好的电磁屏蔽性,保证信号电流的“纯净”。另一方面,PCB层数的增多同时也增加了成本,但对于板卡的稳定性和超频性起着举足轻重的作用。