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日本网站PCWatch专栏作家後藤弘茂近日撰文,对下一代内存规格DDR4做了一番前瞻性介绍。新内存将给桌面、笔记本、服务器、工作站再次带来大幅度的性能提升,但也会显著改变内存子系统的拓扑结构。
在日本东京举行的MemCon 2010大会上,US Modular公司工程副总裁、JEDEC董事会成员Bill Gervasi介绍说,DDR4内存的有效运行频率初步设定在2133-4266MHz之间,运行电压则会进一步降低至1.2V、1.1V,甚至还可能会有1.05V的超低压节能版,生产工艺预计首批采用36nm或者32nm。
目前的DDR3内存最高标准频率为2133MHz,电压则有标准版1.5V、节能版1.35V两种。DDR4将继续沿着高频率、低电压之路前进。
内存频率规格路线图
内存电压规格路线图
不同时代内存频率、电压、功耗关系图
DDR4会尝试使用硅穿孔(TSV)技术来提升容量密度