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[不仅仅是工艺提升——Intel 45nm处理器详解]
Penryn并非全新架构的产物，而是现有Core架构的工艺改进版，大体上区别不大，只是进行了一些技术增强，比如更大容量的二级缓存、更高的主频、更好的散热、完整的SSE4指令集、先进的high-k工艺等等。在接口上，LGA775继续沿用，很多设计周详的主板基本只需BIOS即可。
在晶体管数量上，65nm双核心Conroe/Merom/Woodcrest拥有2.93亿个，45nm双核心Penryn则提高到4.1亿个，其中四核心版本更是翻番到8.2亿个。虽然这只是现在Montecito双核心Itanium 2的大约一半(后者17亿个)，但相当于2000年180nm工艺Willamette核心Pentium 4的20倍(后者4200万个)。
Penryn有很多值得关注的地方，其中最重要的莫过于“high-k”工艺。这也是Intel首次在酷睿2处理器上使用。“high-k”工艺是用更高介电常数的金属栅极取代传统的低介电常数(low-k)的二氧化硅栅极，从而大大解决漏电问题。据称，与同频率的65nm工艺相比，45nm high-k可将晶体管转换速度(频率)提高20％，同时转换能耗减少30％，并将漏电降至1/5。该原理主要是借由以具有优异绝缘性的hafnium铬元素为新型材料的基础物质，通过该物质拥有的比传统二氧化硅栅更为优秀的绝缘性和绝缘层，大幅度降低晶体管在高频下的漏电率。
Penryn时代的功耗仍会维持在35W左右，所以主频会有不小的提高。Intel没有给出确切的频率，但有关工程师指出高端桌面会超过3.3GHz，笔记本则会不低于2.5GHz，而理论上的工作速度会更高。
Intel没有详细解释high-k工艺所用的材料，只是表示high-k栅极基于“铪”元素，金属栅极的两种元素则拒绝透露。Intel高级研究员Mark Bohr称：“可能的组合有上百种，能完成这种组合是一个重大的成就。”Intel还放出豪言，其他半导体企业要达到他们这种水平，得等到32nm工艺时代甚至更晚。
从上到下依次为：低电阻层、金属栅极(包含两种不同的材料)、high-k氧化层、硅通道。
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