三星日前在韩国宣布，其已开发出全球首颗64GB NAND闪存芯片，是“闪存发展史上的一次飞跃”。单颗芯片达到64GB后，只需16颗这种芯片就可以生产128GB的大容量存储卡，可以存储80部DVD电影或者3.2万首MP3。该芯片首次采用更为先进的30纳米技术，目前，三星大部分闪存芯片均采用40纳米工艺生产。
三星投资者关系部门高级经理Kwon Hyosun表示，“这是全球存储容量最大的单颗存储芯片。”
图为：三星展出的全球首颗64GB NAND闪存芯片
三星透露，该芯片将于2009年量产，有望在2011年前创造200亿美元的市场规模，为手机、数码相机和MP3播放器提供更为丰富的多媒体应用。
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