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Digitimes报道，据存储业界人士消息，由于海力士的60nm MLC闪存制程出现问题，他们的大客户苹果已经转投三星以填补NAND闪存需求的空缺。 海力士的60nm制程问题最早出现于6月份，尽管一些控制IC供应商提供了令这些缺陷闪存正常工作的全套解决方案，但几乎没有哪一家供应商可以完全解决问题。这一批芯片在测试中出现问题多多，成品率很低。2006年下半年，三星的64nm闪存工艺曾经出现过类似问题，因此驱动IC厂商这次应对更为小心。 由于SLC NAND闪存制造工艺更为简单，海力士计划很快引入57nm SLC制程，来彻底解决这一问题。关于现在的当务之急，一些人士认为海力士的60nm问题有望在9月份解决。 |
