| 晶芯DDR2 800 1GB产品详解 ●内存外部细节 这款内存的PCB为多种尺寸FBGA芯片通用型，存储SPD信息的EPROM芯片位于模组PCB正面中央。晶芯内存产品实行终身质保政策，用户尽可放心使用。
晶芯DDR2-800 1GB内存模组背面
产品标签部分
产品标签配色清凉，提供的信息包括产品型号、容量、运行频率和标准运行时序，这款产品为符合欧洲RoHS规范用料和制造，在环保方面紧跟国际统一要求。 ●内存芯片和SPD分析
elixir DDR2芯片
这款内存使用了elixir FBGA DDR2内存芯片，芯片表面的原厂标识保留，可以直接了解DRAM颗粒信息。N2TU51280BE-25C为512Mbit规格，64Mx8bit组织方式，90nm工艺制造。标称速度2.5纳秒，标称运行模式DDR2-800_CL5上，I/O和VDD工作电压均为1.8V±0.1V。 精致的蓝色PCB和保留原貌的elixir芯片让人觉得这就是一款来自南亚原厂(elixir是南亚的品牌)的内存模组，接下来我们通过SPD信息来验证猜测。
CPU-Z显示的内存模组SPD信息 不出所料，CPU-Z 1.39显示的晶芯DDR2-800 1GB SPD信息如上图，所有信息均准确注明，其正是南亚生产的原厂DDR2-800内存模组。时序表部分设定完整标准，内存模组在DDR2-400下时序为3-3-3-9，DDR2-533下时序为4-4-4-12，DDR2-800下时序为5-5-5-18，属主流DDR2-800的正常水平。 影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：
CAS Latency，内存CAS延迟时间。 RAS-to-CAS Delay(tRCD)，内存行地址传输到列地址的延迟时间。 Row-precharge Delay(tRP)，内存行地址选通脉冲预充电时间。 Row-active Delay(tRAS)，内存行地址选通延迟。 这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。
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