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【eNet硅谷动力消息】近日，瑞萨科技宣布，开发出一种具有45 nm(纳米)及以上工艺的微处理器和SoC(系统级芯片)器件、低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构(在2006年12月以前发布的一种先进技术)改善了CMIS(注1)晶体管的性能。瑞萨已经在2007年6月12日于日本京都举行的2007年超大规模集成电路技术专题研讨会(2007 Symposium on VLSI Technology)上阐述了这一新的、增强的混合结构，并演示了测试数据。 像以前的技术一样，新的半导体制造技术有一个采用氮化钛(TiN)金属栅极的P型晶体管，以及一个采用传统多晶硅栅极的N型晶体管。不过，新的P型晶体管采用两层栅极结构，而不是单层栅极，以更有效地控制门限电压(注2)。而且，新型混合结构利用应变硅制造技术来提升驱动电流能力。与以前的瑞萨混合结构相比，这些创新产品的性能大约提高了20%。重要的是，新型结构可以实现低成本制造，因为它不需要对目前的制造工艺进行重大改变。
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