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【eNet硅谷动力消息】北京时间6月15日硅谷动力从国外媒体处获悉：作为全球最大的内存芯片生产商，韩国三星电子于当地时间本周五发表声明称，该公司计划在2008年之前对其已有十年历史的美国芯片工厂投资35亿美元用于闪存芯片生产线的兴建。 据了解，三星去年已经开始在该公司位于美国德克萨斯州的芯片工厂兴建全新NAND闪存生产线，本周五的声明公布了三星NAND生产线具体的投资数额。德克萨斯州芯片工厂是三星电子海外唯一一家半导体工厂，该厂目前只生产用于计算机的DRAM芯片。目前，NAND闪存芯片广泛应用于数字音乐播放器、手机以及数码相机等消费电子产品。 三星在当天发表的一份声明中表示，全新NAND生产线将在今年下半年投产，到2008年每月的晶圆产能将达到六万片。由于业内普遍担心DRAM芯片价格大幅下滑将影响生产商第二季度业绩，包括三星电子和现代半导体在内的内存芯片厂商股价也因此受到一定程度影响。 业内分析人士预测，NAND闪存芯片将在今年下半年和明年对厂商业绩产生积极推动作用，这主要是由于配备闪存的计算机产品和苹果iPhone手机等全新的应用需求促使NAND闪存市场价格不断回暖反弹。
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