近日在一次超大规模集成电路座谈会上,东芝公司公开了一种新的三维堆叠存储芯片技术,并不需要制程的改进,就能够在不大幅增加芯片面积的情况下提高存储密度和数据容量。 过去的堆叠存储技术,都是简单的将传统平面存储芯片一层一层的叠放起来,并不断重复这一过程。虽然这种方法可以提高芯片存储密度,但是却使制造过程更加复杂,耗时更长。 东芝凭借新的蚀刻技术,在晶圆上穿孔,制造出多层的门电极和绝缘层。,经过掺杂的硅柱填充这些孔洞后,门电极和绝缘层围绕这些硅柱有间隔的闪存电路。 东芝的新技术改变了整个闪存芯片的设计结构,可以在不增加芯片体积的情况下大幅度提高存储密度。根据东芝的说法,堆叠32层的情况下可以讲存储密度提高10倍。 目前,东芝还没有透露这一技术的投产计划。 |