| 内存降价幕后因素 首先我们先了解一下近期国内外内存行业动态。 1：三大晶圆厂成为降价幕后推手 根据业内消息，之前降价潮幕后推手是三家国际著名芯片大厂：美国镁光(Micron)、日本尔必达(Elpida)和韩国海力士(Hynix)。以上三家主要晶圆厂商因为出货量大幅度增加，导致市场供过于求，比重失调。三家晶圆厂增加的产能都来自于他们将8英寸晶圆生产线重新开始制造内存芯片。之前这三家都已转产其他芯片产品，镁光制造CMOS图像传感器，尔必达制造专用内存，海力士则制造NAND闪存。 生产线上的内存晶圆 据悉，三家厂商产能重新回归生产内存芯片后，将使全球内存芯片供应量在今年第二季度相比第一季度提高20%到30%之间。之前，许多行业分析师认为目前内存价格的急速下跌仅仅是因为市场需求的不旺。 三大芯片生产大厂之前的生产线转换的并不乐观。镁光生产手机摄像头使用的CMOS感光元件需求偏软，便重新转产内存。尔必达的情况也差不多，之前其预计07年消费电子市场火爆，开始生产消费电子专用存储芯片，但几个月后又转回内存。海力士则是在与三星和东芝的NAND闪存制程竞争中大大落后，因此决定将8英寸晶圆产能转回内存。 北京中关村电子城外客流稀少 2：淡季效应明显终端市场需求疲软 每年的五、六月份都是传统IT市场销售淡季，虽然上游内存芯片成交价格早已经跌破成本价，但因为终端消费市场需求疲软，造成买气拉动不足。以目前的仅靠买方拉高库存水位的做法无法支撑住价格继续上涨，这也使市场开始对内存后势走向呈现悲观气氛。 3：海力士率先减产引燃涨价导火索 面对不断下降的价格压力下，韩国海力士(Hynix)率先将部分内存产能转回至NAND闪存。预计海力士六月底产出就会小幅下降，七月DDR2产能将下降10%-20%。这一举动也使市场对DDR2在第三季度的价格反弹有了较为乐观的期待。合约市场方面，由于内存厂商也开始抵制OEM厂商所要求的超低价格，加上现货价格反弹也使得六月份合约价格止跌，持平机率很大。 各大厂商纷纷转移产能 除此之外，受到海力士影响，其他主要晶圆厂也开始考虑转移过多的内存产能至其他方向，其中包括奇梦达(Qimonda)、三星(samsung)、力晶(PSC)、茂德(ProMOS)、华邦(Winbond)。 4：终端零售价格低于厂商成本刺激价格上涨 上游芯片成交价格走势图 根据最新的上游芯片成交价格显示：eTT规格DDR2-667 512Mb内存芯片涨势凶猛，幅度达到12.5%，最高点达1.65美元。而品牌DDR2-667 512Mb内存芯片价格也上涨2.3%，达到1.75美元。虽然价格有所上涨，但目前仍低于晶圆厂生产成本，主要厂商表示不愿意再砍价出货。
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