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强力充电:完全解析45纳米CPU制作工艺[图]


http://www.enorth.com.cn  2007-05-17 11:00
  前言:CPU的发展史也可以看作是制作工艺的发展史。如果想要提高CPU的性能,那么更高的频率、更先进的核心以及更优秀的缓存架构都是不可或缺的,而此时自然也需要以制作工艺作为保障。几乎每一次制作工艺的改进都能为CPU发展带来最强大的源动力,无论是Intel还是AMD,制作工艺都是发展蓝图中的重中之重,如今处理器的制造工艺已经走到了45纳米的新舞台,它将为新一轮CPU高速增长开辟一条康庄大道。

  很多用户都对不同的CPU的制作工艺非常熟悉,然而如果问他们什么是制作工艺,65纳米、45纳米代表的是什么,有什么不同,这些问题他们未必能够准确地解答,下面我们就一起来详细了解一下吧。

  一、铜导互连的末代疯狂:45纳米制作工艺

  几乎每一次制作工艺的改进都会给CPU发展带来巨大的源动力。以如今炙手可热的Pentium4为例,从最初的0.18微米到随后的65纳米,短短四年中我们看到了惊人的巨变。如今,45纳米制作工艺再一次突破了极限,这也被视为是铜导互连技术的最终畅想曲。

  1.制作工艺的重要性

  早期的微处理器都是使用0.5微米工艺制造出来的,随着CPU频率的增加,原有的工艺已无法满足产品的要求,这样便出现了0.35微米以及0.25微米工艺,不久以后,0.18微米、0.13微米以及90纳米制造的处理器产品也相继面世。另外一方面,早期芯片内部都是使用铝作为导体,但是由于芯片速度的提高,芯片面积的缩小,铝线已经接近其物理性能极限,所以芯片制造厂商必须找出更好的能够代替铝导线的新的技术,这便是我们常说的铜导技术。铜导线与铝导线相比,有很大的优势,具体表现在其导电性要优于铝,而且电阻小,所以发热量也要小于现在所使用的铝,从而可以有效地提高芯片的稳定性。我们今天所要介绍的65纳米技术也是向着这一方向发展。


Intel在IDF 2007上骄傲地展示45nm工艺

  光刻蚀是目前CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤,其过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕,由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格,需要使用短波长的紫外线和大曲率的透镜,刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程,设计每一步过程的所需要的数据量都可以用10GB的单位来计量,而且制造每块处理器所需要的刻蚀步骤都超过20步。制作工艺对于光刻蚀的影响十分巨大,这也就是CPU制造商疯狂追求制作工艺的最终原因。

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编辑:赵国栋
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