东芝于近日正式宣布它们已经成功开发了采用56nm制程的NAND闪存,从本月开始,东芝将采用56nm制程生产8Gbit的样品,到下个季度的时候东芝还将正式量产16Gbit的产品。
由于采用了新的56nm制程,因此在同样大小的芯片上,闪存容量提升了二倍,同时写入速度也比原来有了很大的提升,目前,采用56nm制程的NAND闪存的写入速度高达10MB/秒。
NAND闪存