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最高DDR2-1120:11款高能DDR2内存导购[图]


http://www.enorth.com.cn  2006-08-14 14:42

PNY DDR2-667 1GB

产品介绍

PNY是活跃于欧美市场的PC配件产品零售商,产品涉及PC板卡等领域,也包括内存模组,这家厂商进入中国大陆市场时间不久,他们送测的是DDR2-667 1GB产品,如图所示,为一对non-ECC unbuffered 240pin 1024MB DDR2-800 SDRAM内存模组,内存的16片芯片贴装于PCB正反两面,非ECC模组型PCB设计成双rank规格。

产品标签注明了内存模组的型号、容量、速度和每根唯一的S/N编号,但缺少标准运行延迟信息。

内存芯片表面只能看到PNY的Logo和和修改过的型号,无法了解原本DRAM制造商提供的信息。

这款产品的SPD信息内容很少,仅标注出了模组容量和速度,制造商等其他部分信息未注明。内存时序表部分设定完整,内存模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-9,DDR2-533时是4-4-4-12,DDR2-667为5-5-5-15,为市场大多数产品的主流水平。

超频能力

和前面那些DDR2-800规格的内存模组相比,PNY DDR2-667 1GB内存模组的超频表现毫不逊色,尤其是在975X平台上,这款产品在提高工作电压后成功突破DDR2-1000大关,即使是标准电压1.8V,它也有达到DDR2-800水平的良好表现。PNY DDR2-667 1GB内存模组在nForce 590 SLI上的超频测试也是在2.2V下完成,在这里它相对缺乏亮点,虽然能够勉强达到DDR2-667的标称,但也是在提高电压之后实现的。

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编辑:赵国栋
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