三星公司宣称已经生产出60nm工艺,写入速度翻一番的2Gbit闪存芯片。
该公司的新型“ONE NAND”闪存写入速度为17MB/s,是该公司以往产品的两倍。
三星透露通过把8块这样的2Gbit闪存连接在一起,其写入速度可以达到136MB/s。不过三星还未透露这种闪存芯片的量产时间。
图为三星ONE NAND闪存芯片