在台北春季IDF大会上，Samsung记忆体事业首席记程师Dong Yang Lee表示，他们的DDR3记忆体模组已经准备可于06年下半年量产，初期速度为DDR3-800，及后将会推出DDR3-1067及DDR3-1333，预计最高速度将为DDR3-1666，并预计Intel将会于07年下半年把DDR3记忆体用于桌面平台以上，而取代DDR2主流地位则预测为2009年Q1。现时DDR2记忆体主流是采用90奈米制程，但DDR3记忆体将会导入70奈米，因此DDR3的生产成本将进一步降低，同时工作电压及功耗亦将下降，据Dong Yang Lee表示，DDR3 1066的功耗将会是DDR2 800的0.66x，而DDR1333则为0.79x，因此DDR3更有利用于行动平台以上。
DDR3技术主要是基于DDR2上作出改良，由DDR2的4 Pre-fetch提升至8 Pre-fetch，电压降低至1.5v，QD、C/A、Driver Control及Leveling亦略有不同，新一代DDR3模组将拥有全新的侦测工作温度功能，可让用家透过BIOS读取记忆体的温度，而DDR3的颗粒亦会用于Server之中推出FB-DIMM 2模组。
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