三星拟30亿在美建新厂 巩固在闪存市场地位

　　三星电子明年将投资30亿美元在美国德克萨斯州的奥斯汀市建造一座半导体厂，这是迄今为止韩国公司最大的海外投资计划。三星最早将于下月与奥斯汀完成协议的签署。

　　三星电子一位高层周四称，该公司暂时决定明年初起在奥斯汀另外再建300毫米晶片生产线，并在当年晚些时候投入运营。三星电子董事会副主席Yoon Jong-yong周三向韩国国会审计机构通报了这一计划。

　　三星目前在奥斯汀的晶片厂生产DRAM存储芯片，新厂将生产NAND闪存芯片。作为全球最大的芯片生产商，三星希望在美国的新厂能够巩固其在全球闪存市场的优势地位。