目前市场上DDR500内存已经相当普及，很多内存都可以较为轻松的超频到DDR600频率下，市售的内存很多都标著着DDR600，但是DDR600可不是买回来插在主机板上开机就会变成DDR600,也并不是每种平台皆可达到DDR600甚至更高,我们以DFI nf4平台為例教大家如何设定DDR600。
有些网友经常提问到“为什么购买的内存是DDR600的却无法使用在这个频率下”或者是“我的内存明明能够稳定超频到DDR600下使用，但是现在为什么无法同步了”难道是厂商在作假？肯定不是。
DDR600内存同步设置，一步一步往山爬（一）
以下以DFI nF4系列平台為例為各位作示范，BIOS為510-1，DDR600设定因為只是想找出RAM可稳定DDR600的体质，所以如果你的CPU不能稳上9X300，倍频可降到8倍设為8X300。另外，请将内存电压(红色方框)先设置为2.7V(测试完成稳定后可以试著降，不稳请往上加)。
接着DRAM+0.03V可开可不开,在范例中是未开的,因为开机后要先测试MEMTEST86+所以这个选项也请打开(MEMTEST86+为测试内存稳定的软件)。
接著是记忆体参数设定。CPC当然是1T，所以请ENABLE或AUTO，顺着下来CAS设2.5(不会比设3难的)接著4-8-4。
当测试完成一切稳定时可以试着调整到2.5-4-7-3重新测试一次(如不够稳定请酌量对内存进行加压)。接著是2-2-2-3的设定当测试完成一切稳定时可以试著调整到2-2-1-2重测一次(如不过记忆体电压酌量加压)
Refresh period请照著我设会成为100 1.95us(浮点运算较快)。设置DRAM Bank 选项为Enable值。
接著来看DRAM Drive strength跟DRAM Data Drive strength，这两项设置关系到CPU内存控制器兼容性的好坏,也关系到整体平台的稳定性。
在一般情况下如果DRAM Drive strength设的越高,进作业系统会越稳定,但设置较低的话，那么跑MEMTEST会更稳定。所以有些人会在跑MEMTEST86+测试时让DRAM Drive strength设置为5或更低,以便很顺利完成MEMTEST86测试,但是以这样的设定别想顺利进入OS桌面或完成PI测试。
DDR600内存同步设置，一步一步往山爬（二）
记得在超频大赛的比赛规则有这样的规定，在比赛时MEMTEST86+的设定不能变动,以该设定需完成MEMTEST与SUPERPI 8M,这样的设定就无法在MEM中作弊了。在此次教程中我们设定为7-3,当你测试稳定后可以试著调到6-3或5-3(如不过PI测试,内存电压酌量加压)
接着请看MAX Async Latency与Read Preamble Time这两个选项,这里设置为8和5,建议也可以设auto,在auto时会随着外频的升高而降低这两项参数,当然8-5是肯定好的。
接就是Dynamic counter选项设为enable,enable是严谨的,当你过不了测试又加电压无效时,请试着关掉Dynamic counter再测一次,还有DRAM Response请务必设fast。
R/W Queue Bypass 设16x 就ok(不是很重要) ，By Passmax设定为7x(4x较严) 。
设定完成请按F10对BIOS存档，这个时候一开机会进入MEMTEST86+画面，请直接进入TEST5与TEST8，其他暂时无须测试(没什么作用)。进入步骤请按C-1-3-5-0会进入TEST5。
以上是示范跑PASS3的。这个时候我们放弃PASS3测试，（上图测试中处理器已经超频至3GHz）接著进入TEST8，进入步骤请按C-1-3-8-0就会进入TEST8。
当测试到PASS1的时候我们就可以不用再测试了(上图CPU频率为2.7GHz)。接著要作进入桌面的SP2004测试。
稳定性测试通过，同步DDR600效能非一般
全部内存参数均是相同设定,但是内存电压加到2.8v，因為我们先前有做过测试，所以知道电压必须往上加到2.8V才能稳定通过测试(也许你的不需加,或者加再高都不能完跑)。
电压加到2.8V并且持续测试中，跑SP2004 Blend stress，此时 CPU 和RAM. Priority设定为第9级别。已经经过了47分钟的测试，平台表现稳定。测试请看下图。
以上是我们设置BIOS让内存同步在DDR600下的测试。希望对你设置主板同步DDR600下能有所帮助。
最后调整完毕了，我们把SP2004关掉跑了一个3DMark2001过过癮，分数还不错哦，36903分！看来同步DDR600在性能的提高上还是有不小帮助的，希望我们的教程对你有所帮助有所提高，让你手上的硬件得已发挥最大性能！大家记得注意好散热哦，最后祝大家成功！
