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英特尔北京时间10月22日宣布，该公司正在研发一系列新型技术，以为2013年及以后的芯片产品开发做准备。英特尔正在研发的新技术包括：三栅级晶体管(tri-grate)、碳纳米管(carbon nanotubes)、硅纳米线(silicon nanowires)、III-V材料(III-V materials)、自旋电子(spintronics)、相变逻辑设备(phase change logic devices)、接口设备(interface devices)以及光开关(optical switches)。
英特尔宣布，该公司实验室中已经研发出早期碳纳米管，以及线宽仅有5纳米的硅纳米线设备。英特尔研究的这些新技术都是为2013年以后的芯片产品开发准备的，届时目前广泛应用的块硅(bulk silicon)将会过时，不能满足未来芯片生产的需求。
英特尔方面的人士普遍认为，随着研发的继续深入，摩尔定律在一段时间内将会继续生效。按照摩尔定律，单位面积芯片上的晶体管数量大约每18个月增加一倍，多年以来，芯片产业一直很好的贯彻着这一定律。然而随着芯片技术的不断深入，新产品的研发速度越来越缓慢，很多分析人士认为摩尔定律已经失效。英特尔的研究人员保罗-加尔吉尼(Paolo Gargini)表示：“摩尔定律将会在未来15到20年内继续生效。”
不过英特尔方面也承认块硅技术在发展到22纳米时将会达到上限，加尔吉尼称：“上限的确存在，这正是我们努力研发新技术的最主要原因。”英特尔技术与生产部门研发主管金-大卫(Ken David)表示：“未来所有的一切都将围绕这提升晶体管的电子迁移率展开。”
英特尔预计，碳纳米管、硅纳米线以及基于III-V材料的设备将会在2013年到2019年出现。而短期来看，最早出现的将是三栅级晶体管，英特尔预计45纳米、32纳米以及22纳米的三栅级晶体管将于2007年、2009年以及2011年出现。
2020年以后，英特尔的研究将围绕着自旋电子、相变逻辑设备、接口设备以及光开关进行。
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