去年炒得沸沸扬扬的PAT技术实际上就是种内存加速技术，Intel通过在北桥芯片中设置“Bypass Patch”(旁路)让处理器对内存的数据访问请求少一个时钟周期，另外又通过构建“Optimized Patch"(优化路径)让内存控制器对内存芯片的颗粒和BamK选择时间上减少一个周期。这样一来二去，CPU在内存数据读取上减少了两个时钟周期，就达到了提高PC性能的目的。
PAT技术的实现对内存的品质有一定的要求，而许多主板厂商通过触类旁通的自行设计，在I865平台上同样也实现了原本专属I875P的PAT功能——只是更换了称法而已。
不管怎么说，优化内存的延迟参数对PC性能的提高有很大帮助是显而易见的，所以，我们不妨对这方面的知识了解得更深入一些。
一、了解内存延迟参数
Intel平台和AMD平台的内存延迟参数其实都差不多，其中最常见的几项为CAS(CL)、tRCD、tRP、tRAS，如图1。这其中大多数是沿用JEDEC的内存标准而来，但tRAS这个参数却颇有争议，JEDEC的DDR内存相关标准中并没有把它列为必须的性能参数，甚至有观点认为这一参数纯粹是某些主板厂商炒作出来的。
以上参数往往在主板的BIOS中可以调整，一般来说设置值都是越小越好，但对内存颗粒的品质也相对越来越高。由于不明就里，许多用户都不敢贸然进行调整；为释疑解惑，下面我们就对各项参数逐一加以解释。
1.CAS(CL)：
内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间。这个参数很重要，内存条上一般都有这个参数标记。在BIOS设置中DDR内存的CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”几种选择，SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。
2.tRCD(RAS To CAS Delay)：
内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间，参数选项有2和3这两个选择，同样是越小越好。
3.tRP(RAS Precharge Time)：
内存行地址控制器预充电时间，参数选项有2和3这两个选择，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
4.tRAS(RAS Active Time)：
内存行有效至预充电的最短周期，一般我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2主板上的选择范围却很大，最高可到15，最低达到1。调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5-11之间。
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