东芝推出带宽3.2GHz的512M XDR内存颗粒[图]

　　今天东芝推出了512Mbit XDR内存芯片，它的峰值带宽达到了3.2Gbps。这款芯片主要是针对高带宽需求的设备设计的，例如显卡和一部分消费电子产品。它所采用的是Rambus XDR技术，数据吞吐量是当前高端内存的八倍以上。

　　下面我们来看看XDR内存的规格。

　　型号TC59YM916AMG32A TC59YM916AMG32B TC59YM916AMG32C

　　架构4 megabits word x 8 banks x 16 bits

　　峰值带宽3.2Gbps

　　电压1.8V VDD

　　接口DRSL(Differential Rambus Signaling Level)

　　延迟27ns 35ns 35ns

　　封装1.27x0.8mm BGA

　　如果采用128位总线的话，XDIMM内存模组能够提供12.8-25.6GB/s带宽，这是目前DDR2的4倍。