昨天，韩国三星公司展出了现在新开发出来的6层芯片记忆模组，是专为移动设备开发设计的。这个“pie”由256Mbit NAND Flash，128Mbit NOR Flash，64Mbit UtRAM，16Mbit SRAM和2 x 128Mbit mobile DRAM组成。共有2个成品推出，将会被用在新推出的3G设备上：
RRNU6412864-2 x 64Mbit NOR Flash, 128Mbit NAND Flash and 64Mbit UtRAM
NUUS128643208-128Mbit NAND Flash, 64Mbit UtRAM, 32Mbit UtRAM and 8Mbit SRAM
以上模组结构只有1.4mm厚，比常见的芯片只厚0.2mm。以后推出的芯片还会更小些，大概为10.5x10.0x1.2mm。
最后，这张图片的详细说明：
1.UtRAM,数据缓冲
2.mobile DRAM,主存和缓存
3.NAND Flash,申请数据存储
4.mobile DRAM,主存和缓存
5.NOR Flash,指令存储
6.SRAM,数据缓冲
|
