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进入10月份以来，内存市场开始出现波澜，自中旬以后，DDR内存价格一路飙升，台湾和香港IC市场DDR颗粒连续两周不断上扬，128Mb DDR颗粒由3.2美元涨至现在的4.1美元，而且现在涨势不减，成品内存条价格也出现很大波动，仅一个星期左右时间，HY 256M(DDR266)就由460元攀升至现在580元的高价位。而且至月末时DDR内存的涨势效应扩大，SDRAM也开始出现走高。近期内存不断走高主要受以下几方面原因影响。
1、OEM厂商需求来临，拉动市场
10月份以后，各大OEM厂商开始逐渐出现定单，尤其是DDR333内存颗粒方面，如戴尔、IBM等厂商开始出现大量需求，而且包括Intel、VIA和SIS等主板芯片厂商也开始逐步推出支持DDR333的系列主板，DRAM厂商虽然开始扩大产能，但短时间很难满足OEM厂商需求，因此价格也不断被拉高。
2、DRAM制造商控制现货市场出货量
在看到市场需求来临的情况下，DRAM制造商也希望借此机会能够在与OEM厂商谈合约价时处于主动地位，因此不断将DRAM颗粒的售价抬高。据较可靠的消息分析DRAM厂商生产的60%颗粒与模块主要是供应给OEM厂商，因此合约价的高低也很大程度影响到DRAM厂商的盈利情况，而合约价格的制定则与近期现货市场价格有一定关系，因此DRAM厂商通过不断抬高现货市场价格以期在谈合约价是处于有利位置。近期DRAM厂商严格控制现货市场出货量，造成通路商大量定货，带动市场交投量，因此DRAM价格持续上扬。
由于以上两方面原因再加上通路商伺机囤货，因此在现货市场需求并没有全面来临的情况下，内存价格仍旧不断走高。
内存近期走势：据业内人士分析，由于市场有一定需求来临，再加上DRAM厂商仍旧紧紧控制出货量，因此近期内存价格有继续走高的可能。进入11月份后，部分商家可能就开始为欧美市场的圣诞节销售旺季开始备货，因此市场需求还会有所回温，价格能够在的短时间内大幅回落的可能性也不大，预计此情况会持续至年底。另一方面，由于DDR内存上涨幅度过大，很多厂商将眼光又转移至SDRAM内存，其价格也在不断走高，预计如HY 256M(PC133)可能会涨至220元左右后稳定下来，并有可能小幅回落，但能够跌回190元以下的可能不大。
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