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在上周于中国举行的“JEDEX芯片大会”上，主办方——美国电子设备工程联合会(JEDEC)介绍了下一代DDR-ⅢSDRAM标准，与即将成为主流的DDR-Ⅱ标准相比，DDR-Ⅲ芯片的性能将可提高1倍，目前该标准已进入起草阶段。
据了解，DDR-ⅢSDRAM芯片数据传输速度将达到800Mbps，以后还将提升到1.5Gbps。与目前的内存产品相比，DDR-Ⅲ内存耗电量也会大大减少，其所需电压只需1.2或1.54伏，目前的DDR内存及尚未推出的DDR-Ⅱ所需电压则达1.8伏。
Micron战略市场营销部门主管Kevin Ryan称，内存芯片所需电压每降低一点，其耗电量都会大幅减少。Infineon北美分公司内存应用部门市场经理William Shen则表示，最初的DDR-Ⅲ芯片密度很有可能达到4Gbps。
业内人士预期，最终的“JEDEC DDR-Ⅲ”标准将会2005年年底之前现身，其样品将于1年后将开始生产，正式生产时间将从2007年开始。
值得一提的是：这次大会上，不少中国听众有幸首次见识了这种下一代内存芯片的性能介绍，因为这是JEDEC首次将芯片大会举办地址选在海外，这也显示了芯片制造商们对中国蓬勃发展的电子行业有多么重视。
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