DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出,由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格,并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM的升级版本,因此也称为“SDRAM II”。其最重要的改变是在接口数据传输上,他在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理,使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM的2倍。至于寻址与控制信号则与SDRAM相同,仅在时钟上升沿传送。
DDR SDRAM模块部份与SDRAM模块相比,改为采用184针(pin),4~6层印刷电路板,电气接口则由“LVTTL”改变为“SSTL2”。在其它组件或封装上则与SDRAM模块相同。DDR SDRAM模块一共有184个接脚,且只有一个缺槽,与SDRAM的模块并不兼容。DDR SDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的,例如PC100与PC133。而DDR SDRAM则是以数据传输量作为命名原则,例如PC1600以及PC2100,单位MB/s。所以DDR SDRAM中的DDR200其实与PC1600是相同的规格,数据传输量为1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s),而DDR266与PC2100也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。
DDR SDRAM在规格上按信号延迟时间(CL;CAS Latency,CL是指内存在收到讯号后,要等待多少个系统时钟周期后才进行读取的动作。一般而言是越短越好,不过这还要看内存颗粒的原始设定值,否则会造成系统的不稳定)也有所区别。按照电子工程设计发展联合协会(JEDEC)的定义(规格书编号为JESD79):DDR SDRAM一共有两种CAS延迟,分为2ns以及2.5ns(ns为十亿分之一秒)。较快的CL= 2加上PC 2100规格的DDR SDRAM称作DDR 266A,而较慢的CL= 2.5加上PC 2100规格的DDR SDRAM则称作DDR 266B。另外,较慢的PC1600 DDR SDRAM在这方面则是没有特别的编号。
DDR内存规格
最高运行频率
DDR-266A DDR-266B DDR-200
CL=2 133 100 100
CL=2.5 143 133 125
在购买DDR内存时,用户也有一些需要注意的地方。目前可以看到的DDR内存颗粒的厂商有南亚,美光、三星、现代等。而规格上分为PC1600、PC2100,PC2100还分为CL=2.5与CL=2两种。目前市场主流应该是PC2100 CL=2.5,至于识别方法,用户可以先把内存颗粒的编号记下来,然后到网站上去搜寻该公司的产品资料。
以韩国三星的DDR内存为例,它的颗粒编号为K4H280838B-TCB0,然后再到网站上找到它的Data Sheet。可以看到代号"B0"的规格为PC2100 CL=2.5,也就是DDR 266B。
目前性能表现最好的DDR内存是PC266A,即PC2100 CL=2,如果您对性能有特殊要求,在购买DDR内存时,就可以利用这个方法来判断。
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