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据报道，包括英特尔、台积电、摩托罗拉、德州仪器(TI)等半导体大厂，当前均已投入0.10微米以下半导体制造工艺的研发，并力图尽快投入量产，竞争日趋激烈。
英特尔3GHz奔腾4芯片年底出货
目前英特尔采用基于300毫米(12英寸)晶圆和更小电路生产奔腾4处理器。英特尔拥有5个采用0.13微米工艺的工厂，其中4个使用200毫米8英寸晶圆，在俄勒冈州的另一个工厂使用300毫米(12英寸)晶圆。英特尔将会不断改进设计和制造工艺，并计划在今年年底发运奔腾4处理器3GHz。
TI当前倾全力于其DMOS612英寸晶圆厂中开发0.09微米制造工艺之数字信号处理器(DSP)，第一季将进行0.13微米制造工艺质量认证作业，第二季展开量产0.09微米制造工艺认证则计划于2003年第三季进行，并加速批量生产。
此外，台积电已展开0.13微米制造工艺12英寸晶圆量产，当前正扩大进行0.09微米制造工艺的技术研发及投资。韩国三星电子于2001年首先开发出0.10微米DRAM制造工艺，2002年下半年将藉以量产512M DRAM；并计划于2003年中研发出0.09微米制造工艺，并于2004年投入量产。除了DRAM之外，该公司也会将制造工艺应用在SRAM及系统单芯片上。
业界相关人士表示，当前半导体大厂皆急忙投入先进制造工艺的研发，2003年底可望有产品上市，至2004年大部分半导体制造都会采用0.10微米以下的制造工艺。(宗和)
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