QBM、QDR…… 对于以上三种内存我们应该如何选购呢？大家都说SDRAM已经被淘汰，其实对于一般用户而言仍可以算是物美价廉的选择；对于游戏爱好者来说，DDR SDRAM不乏是个明智之选；RDRAM则是那些服务器和工作站的黄金搭档。 图4 全新架构QBM 目前各种新型的内存架构已相继出台，QBM（Quad Band Memory，四倍带宽内存）便是其中的一种，Kentron公司将在明年第一季发布带宽达到3.2GB/s（工作频率400MHz）及4.26GB/s（工作频率533MHz）的QBM架构内存（如图4所示），对应同频率的Pentium 4处理器；带宽达到5.4GB/s（工作频率为667MHz）的QBM内存将于2003年投入量产，而6.4GB/s（工作频率为800MHz）的QBM内存初步定在2004年发布，它比同期发布的DDRII规范（4.3GB/s）要快2.1GB/s左右，当然这只是理论带宽的比较。 与QBM类似的还有一种叫做QDR（如图5所示）内存规格，也是四倍速的意思（QDR=Quad Data Rate)。QDR SRAM的原理是将以往同时负责读取和写入作用的数据带宽拆解为两组，一组负责读取，而另一组则写入，这样避免了单一的写入和读出时切换步骤而浪费时间，避免空闲周期情况出现。最重要的是这两组线路都使用了DDR的技术，就是脉冲信号的上升沿和下降沿都可以处理数据资料，这样全速运行正好比传统的SDRAM快上四倍。 图5 内存规格QDR 而Intel方面正在加紧开发一种采用聚酯材料的塑料内存产品。采用的是3D存储技术，数据将被存储在成千上万的聚酯层内，可存储的容量相当大。价格也只有现在采用硅材料生产的同等性质内存的“十分之一”，如果Intel真的要推出塑料内存的话，那么对于那些采用硅材料生产内存的厂家来讲，无疑是个灭顶之灾了。 乱花渐入迷人眼，内存发展也将迈入多元化，一个崭新的舞台即将诞生。 小知识 CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。
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