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据外电报道：在2月4日召开的全球固态电路会议（International Solid State Circuits Conference:ISSCC）上，英特尔展示了数项具备先前技术的产品，其中包括了人们往常只挂上嘴上的、工作速度高达10GHz的微处理器，及运用新技术生产，未来可替代闪存产品的非挥发性内存。
英特尔这款可在室温下冲刺10GHz的微处理器，速度已创下世界纪录。尽管它仍处于实验室测试阶段，数年后才能真正在市场上露面，但其毕竟是对摩尔定律的又一次重大突破，目前微处理器工作速度倍增的时间，已低于摩尔定律中描述的18个月。
Intel之所以能够推出工作速度如此之快的微处理器，主要得益于晶体管技术改进、其栅极长度缩短后带来的好处。
2001年11月由国际半导体技术联盟（Sematech International）提出的技术发展蓝图（International Technology Roadmap for Semiconductors：ITRS）中指出，当前半导体厂商已能将晶体管栅极长度（Gate Length）缩小到90纳米，相当于360个原子排成一列的长度，这已大大超过1999年时ITRS预测的140纳米极限。
IBM公司CTO-Russell Lange指出，半导体厂商耗费了有如天文数字的资金，才将栅极长度到90纳米，这种技术堪称“地球上最珍贵的资产”。因为晶体管栅极长度缩减是降低半导体芯片体积最有效的方法，而英特尔开发的10GHz微处理器，也是晶体管栅极长度大幅缩减后的产物。据了解，英特尔还运用了调适性偏压（Adaptive Body Bias）技术，晶体管可适应微弱的电流，在低耗电状态下能更有效增加晶体管的开关速度。
此外，Intel还将在ISSCC中公布了Itanium系列最新产品McKinley的技术细节，McKinley由Intel及惠普共同开发，主要对手是IBM的PowerPC、SUN的SPARC系列及康柏的Alpha等64位微处理器产品。
而Intel这次推出的新款非挥发性内存，则是由一名现年79岁的独立发明家Stanford Ovshinsky开发，他自60年代即开始研究物质从无秩序原子状态转变为排列整齐的结晶状态的过程，这种技术目前已在实用阶段的产品，如部分镍氢电池及可记录光盘上得到了应用。
Ovshinsky开发的Ovonic内存在硅芯片上加上了一层硫系化合物，使其读写速度远高于快闪存储器（闪存），同时其读写次数高达1亿次以上，比闪存多出100万倍，其体积也较小。英特尔预测，未来3～5年内Ovonic内存就可替换闪存，成为市场主流。
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