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现代用0.16微米工艺造出“DDR750”内存


http://www.enorth.com.cn  2001-12-20 17:32

  日前,韩国Hynix semiconductor(原现代电子)推出了计算机绘图用128Mb(4M×32)DDR SDRAM,这种产品采用0.16微米制造工艺、FBGA封装技术,时钟速度最高可达375MHz,处理速度可达7亿5000万次/秒(如按现有DDR266、DDR333的概念推算、现代电子这款新型内存就相当于“DDR750”)。

  除用于计算机绘图外,这种新型DDR内存也可应用于家用游戏机、局域网(LAN)、广域网络(WAN)设备、网络路由器及高端服务器等。

  此前,Hynix已推出64Mb、300MHz的DDR内存芯片。该公司表示,以后将致力开辟非PC领域的客户源,以推动多元化发展。

编辑 赵海涛 自采稿
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