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据预测，晶体管这一让半导体显得生气勃勃的器件将在近几年内提供万亿次(Terahertz)的运算能力，芯片巨人Intel公司全力进行研发，以在这一场处理器大赛中保持领先地位。
在本周举行的国际电子器件会议上，Intel公司将表述其所设计的超高速晶体在几个方面的重大改变－提供的“万亿次”晶体管在限制功耗方面有所突破。
总的来说，工艺和结构方面的改变将使Intel公司在2007年左右能够生产容纳十亿晶体管的芯片产品，其所需功耗与目前的处理器相仿。
Intel公司逻辑技术小组的Rob Willoner说，摩尔定律将会继续生效，Intel公司全力解决器件的发热问题，目前“功耗问题已经不再困扰我们”。
会议材料中还提到Intel与IBM公司在技术空间展开的竞争。Intel公司做在设计方面的更动包括纳入了SOI技术（硅绝缘膜结构），该技术被IBM公司最早采用并曾备受Intel公司批评。IBM公司将在会议上提出自有版本的SOI技术。
晶体管就像计算系统内部的“红血球”，它在半导体器件中传导电子信号，让计算系统完成各种控制命令。按照著名的摩尔定律，芯片所容纳的晶体管数量每两年翻一番。晶体管数量的暴增让电脑不断提高计算性能。
技术上的突破意味着今后10年内的后五年中（second half of the decade）将出现极为复杂的器件产品，某些芯片的构成器件将以20纳米来计算 -- 约为头发的250分之一。处理器内部将包含数以十亿计的晶体管（目前的奔腾4处理器包含4200万个晶体管），并能提供每秒万亿次的计算能力。举个例子来说明一下万亿次的概念，一个人开关电灯万亿次需要15000年的时间。目前的晶体管技术最高可提供每秒1000亿次计算。
但高计算能力所带来的问题就是功耗。如果不在设计结构上进行改变，高功耗的处理器将产生非常多的热量，如果以密度比例来算，其发热量高于太阳。在各大公司寻找各种方式来减低功耗的同时，没有一家能够确定那一种方式可以奏效。
Insight 64的分析人员 Nathan Brookwood说，物理原理向来是人类的朋友，但现在却成为实现高技术的阻碍。
据Willoner介绍，万亿次晶体管将包含3个方面的主要改进。首先，晶体管和传输线路的排列将更为紧密，晶体管在结构上的分立使得电流传输得以完成。其次，Intel将在新处理器中嵌入绝缘层－称为 Ultra Thin SOI。最后Intel将改变氧化物栅极（gate oxide）的化学成分，该层连接晶体管栅极和源以及漏极（source and drain）。
三个方面的改变都针对同一个目标：让晶体管更有效地用电。Intel公司目前已确定氧化物栅极的化学配方，它由二氧化硅组成。
目前还没有联系到IBM公司的代表发表评论，但据IBM微电子部的人士称，Intel公司的计划与IBM公司的SOI版本相似。
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