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受国际DRAM大厂为拉抬内存现货价格，刻意降低正常供给量影响下，128M DRAM价格近期「涨」声不断，虽价格反弹已逾1倍，但至今仍未有停歇。预期，随DRAM价格回复正常水平，内部存货跌价损失可望逐步回冲，新投单产品也将有较大之利润空间。
近日各制造厂商展现难得之控制供给决心，有默契地的缩手态度，已一举将128M DRAM现货价，由11月初的0.85美元最低点，拉升至昨（12）日美光官价1.7美元、成交价1.6美元，及黑市价1.55美元，短短1周现货价涨幅高达100％以上。
设计业者表示，其实早在1个月前，美光高层即前来亚洲地区，与日系、韩系及台湾等DRAM制造大厂，洽谈供给联合减量的可能性，当时即获得东亚业界众多的响应，惟现代电子迟迟不表态，迫使美光这次行动并未完全成功，甚至祭出联合业界一同控告现代电子的法律手段。
业界当初的共识，顺利在11月初开始发酵，与台湾DRAM业者关系良好渠道商即指出，近期国际大厂力锁市场供给量的态度，确实相当坚决，以往在内存价格反弹期间，要一百、给五十的默契法则，在近日完全无法适用。
渠道商怨地指出，昨日前往台湾DRAM大厂洽谈内存价格及需求量，即便已有自知之明，现货一律以公开价来报价，另外还搬出多年深厚交情，但最终10万颗的需求量，仍只拿到不到1万颗的量能，若换算成内存模块，则连600条都不够，可见得台湾DRAM厂商这次配合拉抬现货价的决心。
设计业者指出，若昨晚美国当地128M DRAM的现货报价，能顺利拉抬与亚洲地区1.7美元的官价看齐，当前各厂128M DRAM的变动成本多仍在2美元以上，则此波内存现货反弹满足点，将先看2美元以上，甚至不排除在业者坚持下，还有再上攀3美元潜力，惟这样的反弹幅度，仍视国际DRAM大厂的决心。
而由以往DRAM现货价由谷底反弹的历史法则看来，2～3倍的反弹幅度将是合理空间，以此波128M DRAM现货价最低达0.85美元来估算，反弹目标区应介在2～3美元间，昨日市场中已见到1.7元官价浮现，在供给面短线联合垄断的信心仍强下，预期本周2美元牌价即可重现天日。
只是在128M DRAM现货价重回各厂变动成本之上后，短期业者所形成的共识，恐将因市场中的偷跑诱因再度浮现后，而提前破局，因此3美元的最高反弹价格并不一定能在短期内看到。
在内存现货价格已明显反弹后，IC设计业者内部原先备抵的存货跌价损失，将有机会逐步开始回冲，加上下半年设计公司所新投产之产品线利润空间，亦可望进一步加大等利多助益，台湾内存IC设计公司近期在中长线资金明显涌入后，近期股价累积涨幅高居电子类股第一。
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