Infineon日前宣布，已开始生产512M DRAM，并将样品送合作企业，以进行评估。
另外，德国Dresden的8个厂已采用0.14微米工艺技术生产256M DRAM，利用该工艺技术，256M DRAM制造成本及体积分别可比采0.17微米技术少30％、18％。
Infineon表示，当前位于美国维吉尼亚州Richmond与台湾茂德科技的8个生产厂，已准备采用0.14微米工艺技术。此外，Dresden厂的12条晶圆生产线现已开始采0.14微米CMOS工艺技术试产。
