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在东京都一家大酒店举行的Intel Developer Forum 2001 Fall Japan的第一天（2001年9月26日），英特尔日本宣布，将在2001年第4季度开始提供读取速度更高、容量更大的闪存“3V同步 英特尔StrataFlash存储器”工业样品。该公司的StrataFlash是NOR型（或非）闪存，通过多值逻辑在1个存储单元存储2bit信息。此前的产品属于使用0.25μm加工技术的“J3”型，有32M/64M/128MB多种型号。
此次发表的StrataFlash采用0.18μm工艺，（1）追加了256MB型号，将产品线定为64M/128M/256MB，（2）输入/输出信号电压由原来的3.0V改为3.0/1.8V兼用。另外，为了提高信号读取速度，在原来的4Word非同步页模式上追加了（1）8Word非同步页模式（×8bit I/O）和（2）同步8/16Word脉冲模式（×16bit I/O）。
使用16B脉冲模式的情况下，与原来的高速模式的4Word非同步页模式相比，1次可传输的字节数可由4至16字节提高到4倍、字节长度可由8至16bit提高到2倍，从而提高数据的传输效率。
而且1个周期的时间非同步情况下为25ns，而同步时可缩短至13ns（66MHz）。数据传输速度方面，4Word非同步页模式时为43MB/秒，同步16Word脉冲模式时可达到92MB/秒。
每1万个订购时的价格方面，64MB型号（2002年第2季度供应工业样品、当年第4季度批量生产）为1200日元、128MB型号（2001年第4季度供应工业样品、2002年第2季度批量生产）为2400日元、256MB型号（2002年第2季度供应工业样品、当年第4季度批量生产）为3600日元。
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