今年年底以前,韩国Hynix半导体公司将把下属的4座晶片厂的工艺技术提升至0.15微米,并计划近期将动态随机存取存储器(DRAM)产品的比重降为60%。
韩国Hynix公司表示,这次晶片厂的工艺技术由目前的0.18微米升级为0.15微米,将使晶片的利润增加将近1倍。该公司计划明年年底前将工艺技术推升至0.14微米,该公司的竞争对手三星电子公司和美光科技公司目前已经有半数芯片采用0.15微米工艺。此外,Hynix公司计划近期将DRAM产品比重减为60%,今年上半年,公司已经将DRAM所占营业收入比重由1年前的87%减为71%。
这家全球第三大存储芯片制造厂商目前共有11座晶片厂,计划升级工艺的4座晶片厂,其中两座位于汉城附近的利川,一座位于韩国中部的晋州,另一座位于美国俄勒冈州尤金市。其余7家晶片厂仍将继续采用0.18微米工艺。(张化)
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