三星电子表示，该公司采0.12微米制程技术、4 bank结构，成功开发576M Rambus DRAM（RDRAM），不但尺寸小，成本上更具竞争力；另外，为配合英特尔（Intel）新推芯片组时点，预计2002年第二季才开始量产。
三星表示，576M RDRAM的频率速度达1,066MHz，比PC133 SDRAM快8倍、比DDR266产品快4倍，适用于需高速处理大量数据的动态影像与绘图，主要应用于高性能计算机、工作站、大型服务器、游戏机及视讯转换器（STB）等。
该公司表示，以128M及256M RDRAM计，采用0.12微米制程可使每片晶圆切割出的晶粒数，比目前0.15微米制程增加47％，生产力大为提升。
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