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三星电子近日宣布，世界首款0.12微米的1Gb NAND型闪存卡已经开始供货。目前可以生产两种规格的产品：单片封装的1Gb的闪存卡和两片积层封装的2Gb闪存卡。
这种0.12微米的压缩技术比生产0.15微米DRAM的压缩技术又前进了一步。同时，利用原有的从128Mb到512Mb的生产线生产这种结构更紧凑、体积更小的产品，每bit的成本大大降低。所有这些因素使得该款新产品非常具有价格竞争力。三星电子希望借此款高附加值的新品能够提升它的存储器业务。
这款新产品能够满足多种需求： --PC操作系统：Windows NT可能运行1G的NAND型闪存卡。 --移动电话：小型手提电话的操作软件一般都会受到低密度闪存卡的限制。而这款新产品可以提供2Gb以上的存储量。这款新产品可以给3G移动电话带来极高的书写速度。与NOR型闪存卡相比，不需额外的缓存器即可存储和重现移动图像。三星计划在今年年底开发1.8V的超低能耗的产品。这种低电压产品将为最终用户延长3G电话的电池使用时间。
--PDA：与目前低成本的日常DRAM相比，可以大大提高PDA的电池使用时间。这种非易失性的闪存卡在无需额外能源的支持下数据的保存期在10年以上。 --MP3/数字照相机：这款新型闪存卡可以继续使用NAND闪存卡的原应用程序，同时2Gb的存储量的可以存储MPEG 4标准下4小时的声音和2小时的动画。
目前，很多半导体企业都在开发新一代具有非易失性而成本更低的存储器。同时一些技术领先的半导体厂商也在引入一种新的概念设计，如PFRAM(高分子铁电RAM)、OUM(Ovonics合成存储器)和MRAM(磁性RAM)。但由于技术问题，还不能进行商业化生产。而三星的0.12微米1Gb的NAND型闪存卡，在技术的高密度、非易失性和市场方面都做得很好。
据悉，最初的1Gb产品的电压为3.3V(8bit I/O)，三星计划今年第四季度发布电压为1.8V和3.3V(16bit I/O)的闪存卡。并将于2002年开始批量生产。
据Semico市场分析调查预测，闪存卡市场在今年第四季度将有所反弹。今后每年的平均增长率为50%，到2004年将达到83亿美元。
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