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日本日立公司中央研究所近日公布了一项最新研究成果--SDRAM模式控制技术。该技术可使SDRAM消耗的电力降低40%，同时提高49%的读写速度。
该技术的特点是减少内存单元（Cell)传向感应放大器(Senseamp)的数据传输次数,而这种传输是内存中消耗电力最多的。经感应放大器传输的数据被读出后，因为有继续读数据的可能，故内存中数据并未消除，而是将数据以缓存形式保持在内存里，以便再次读写。据此，新开发的内存控制技术电路将内存单元传向感应放大器的输送次数与数据删除的次数分别减少，以此实现SDRAM的低功耗与高速度。经Benchmark程序检验，可降低40%的耗电并提高49%的速度。
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