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最近的内存市场可谓混乱不堪，也许这是CPU构架大战前的一次演习，因为内存的类型往往就直接决定了CPU和芯片组的组合。在DDR SDRAM与RAMBUS分出胜负之前，目前的市场上主要有以下4种内存：DDR、RAMBUS、SDRAM和VCRAM。也许其中的VCRAM并不为国人所知，但是它在国外的确已经比较普及了，至少占有了5％以上的市场份额。但是由于在Intel的芯片组上是不能使用VCRAM的，所以就造成VCRAM在一定时期内没能迅速普及。可是时过境迁，随着VIA的崛起，能够支持VCM的主板芯片组越来越多，这就为VCRAM的普及创造了必要的条件。 一、VCM概要
VCM的全称是Virtual Channel Memory（虚拟通道内存），它并不是像RAMBUS内存一样使用了全新的技术，也不像DDR内存一样其实是一个时钟周期处理两次数据的SDRAM内存，但是增加内存带宽的目的却是一样的。VCM内存与现在的168线DIMM内存插槽技术兼容，主板会读取内存的SPD信息，之后由VCM内存自己控制自己。但很奇怪所有的Intel芯片组都不支持这种内存，而现在很多VIA的芯片组却支持这种内存体系结构。
VCM技术由NEC公司开发，是一种新兴的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输（即“带宽”增大）的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM（即VCRAM）。在设计上，系统（主要是主板）不需要作大的改动，便能提供对VCM的支持。VCM可从内存前端进程的外部对所集成的这种“通道缓冲”执行读写操作。对于内存单元与通道缓冲之间的数据传输，以及内存单元的预充电和刷新等内部操作，VCM要求它独立于前端进程进行，即后台处理与前台处理可同时进行。由于专为这种“并行处理”创建了一个支撑架构，所以VCM能保持一个非常高的平均数据传输速度，同时不用对传统内存架构进行“大手笔”的更改。采用VCM后，系统设计人员不必再受限于目前令人捉襟见肘的内存工作方式，因为内存通道的运行与管理，都可移交给主板芯片组自己去解决。
VCM内存所提供的高速的数据传输率借助于数据通道的总线带宽，VCM内存在内存中虚拟几条存储通道，各通道之间没有联系，当内存进行工作时，数据从空闲的通道中读取需要的信息，把写入操作指令传递到内存缓冲区，进行处理，当缓冲区的数据处理完毕后把写入指令从通道中传递给系统总线，这就像我们常说的前后台工作方式，当然我们在工作的时候，几条虚拟的通道都会处于工作的状态，这就是内存处于并行工作的状态，从理论上提高了系统的性能表现。 二、VCM的优势
从理论上讲，VCM主要有以下几点优势：
高速数据传输——由于内存操作处于并行状态，数据预先被准备，可以充分减少等待时间，允许进行更快的数据处理。
低功耗——由于分成前后台工作，当进行前台工作时，后台并不进行工作，这样就可以减少一定的功耗。
更高存储速度——由于各个通道之间并没有联系，我们在一个时钟周期就可以行进更多的操作，这样就相应的提高了系统地存储速度。
内存模块常有PC133 2-2-2的标识，其中2-2-2的含义分别是CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）、CAS到RAS、RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）的反应周期。
与RDRAM和DDR SDRAM等增加内存带宽的设备不同，虚拟通道内存的主要目的是改善DRAM的存取时间，在瞬间数据量要求不大的今天，它比仅增加带宽的内存更有用。系统内存要随时应付各种随机请求，反应时间的优化效果立即可以反映在CPU和系统性能的提高上，运行一下操作系统和应用程序，你就会明显感到这些变化。不过，提高DRAM性能是极其困难的，为了达到这种程度的变化，厂商必须做大量工作。此外，在相当长一段时间内，大容量内存的价格居高不下，人们已经习惯把注意力放在容量方面，而把速度放在了第二位。到了20世纪的最后一年，大容量内存开始全面降价，我们终于有机会把速度提上议事日程。
当时钟超过133MHz时，虚拟通道带宽将超越1GB/s，这足以应付高速度微处理器、图形控制器和嵌入式平台。更重要的是，这些改善可以用于JEDEC（电子器件工程联合会）工业标准的SDRAM上，从而减少了主板及内存厂一商的制造成本和风险，加快了投入市场的时间。无论厂商们如何吹嘘自己的产品，SDRAM仍然占据市场的绝大部分，与SDRAM兼容才有可能尽快被人们接受，获得从UMA（Unified Memory Architecture，统一内存架构）到高端服务器或工作站的广大市场。
在过去的十年间，芯片组一直沿用页模式作为DRAM的基本架构，反应时间和性能的提高都极其有限，Pentium Ⅲ等新式CPU架构越来越难从页模式中获得改善，只有期望其它模式能够解除DRAM的限制。 三、VCM性能测试
在理论上说了VCM这么多的好话，还是以具体的测试来检验一下它的真正实力。
为了测试VCRAM与SDRAM在内存性能上的差异，我们使用了SiSoft Sandra 2001的Memory BenchMark。这款软件应该是目前内存性能测试的权威了，因此其测出的数据应该不会让人感到有何疑义。
看来在这项测试中，VCM的确表现出了它应有的优势。而且在测试中，我们将PC-133的SDRAM的等待周期设定为“2”，这样一来就已经是SDRAM的最高标准了。VCM能够打败最强劲的SDRAM，真是让人感到欣喜。
但是根据以往的经验，内存速度的优势并不一定能转变成整个系统的优势。为了进一步考察的VCM的性能，我们在这两个平台上分别运行了WinBench 99和3D Mark 2000。这样也就兼顾了商业性能和游戏性能。
到了实际的应用，VCM的优势就没有那么大了，几乎只能勉强战胜PC-133。看来，我们只能把希望寄予下面的3D Mark 2000测试了。
看来3D Mark 2000成绩的情况基本上与前面的WinBench 99一样，VCM只是稍稍战胜PC-133。本来我们希望VCM能够像DDR一样把老态龙钟的PC-133甩上一大截，但是可能是我们对它的期望过高了。 四、VCM的未来
目前，采用VCM技术的SDRAM内存条主要由NEC在量产。事实上，早在99年2月底，NEC便与韩国现代就VCM技术达到了共识。目前，JEDEC（联合电子器件工程理事会）已正式接纳它作为一项内存标准。此外，ARM、西门子（Siemens）、扬智（ALi）、矽统（SiS）和威盛（VIA）等多家厂商。也明确声明对这种技术的支持，其中VIA公司近来出尽风头的694X和KT133芯片组就已经支持VCM内存了。
以目前的情况来看，VCM的前景不容乐观。因为尽管它取得了不少厂商的支持，但是其中却缺少了龙头老大——Intel。此外，在产量上VCM也是岌岌可危，过低的产量势必造成成本难以下降，这将大大影响到VCM的普及。如果VCM能够尽快将价格降到与PC-133相同的水平，或是不超过10％，那么我想大多数人还是会选择VCM的，毕竟在性能上它要超过SDRAM。
在DDR与RAMBUS还未分出胜负以前，VCM或许还有机会，但如果DDR或是RAMBUS普及了，那么VCM的境地可就难堪了。VCM抓紧啊！（阿亮）
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