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新生代半导体存储产品、集SRAM、DRAM与FRAM等产品优势的磁内存――MRAM，眼下已成了欧、美、日、韩等国厂商重点开发的对象，这些厂商表示，它们可在2004年将MRAM商品化。
自从几年前Honeywell成功开发出MRAM原型后，IBM、摩托罗拉等厂商便积极开始了开发工作，准备在5年内将其商品化。去年摩托罗拉推出1MB MRAM后，年底IBM和Infineon宣布，将于2004年第一季度合作量产MRAM。1999年时日本也集合12家相关厂商及研究机构，针对MRAM成立国家级研发小组；韩国也于2000年成立了国家级自旋电子研究所；目前韩、日、欧相关厂商都宣称，2004年将实现MRAM的量产。
我国台湾也没有坐视这一产业发展契机，台大自旋电子组件推动小组召集人张庆瑞表示，MRAM是利用磁电阻特性记录信息的非挥发性随机内存，读写速度可媲美SRAM、容量与DRAM相近，几乎有无限次读写次数；由于MRAM具备可靠性与抗恶劣环境的特点，目前MRAM主要应用于太空及高科技军用产品等，未来MRAM将进入大众市场，装备便携式与车用电子产品。他呼吁我国台湾产业界加强对MRAM的研究与开发，以免错失商机。
最早的MRAM是以磁电阻特性存储信息的随机内存，它以不同的磁化方向来记录0与1。由于当时的MRAM体积太大而且存取速度太慢，被后来出现的半导体内存取代。
目前产业界致力开发的MRAM，主要是利用高敏感新型磁电阻材料，使MRAM在密度上可与DRAM竞争，而且外在磁场不变，磁化的方向就不会变化。新型MRAM设计上已淘汰MOSFET，只是利用X-Y选取线路来寻址，如此一来，可大量降低MOS的使用数量。
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