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美国英特尔于当地时间6月11日宣布，该公司开发出了“全球最快”的晶体管。该晶体管的Gate长为20nm，Gate氧化膜的厚度只相当于3个原子大小。
该技术以0.045μm工艺制造技术为基础，预计到2007年可以实现集成10亿只晶体管、工作频率达到20GHz以及电源电压在1V以下的微处理器。
英特尔研究所的研究员在6月10日于京都举行的半导体会议“2001 Silicon Nanoelectronics Workshop”上发表了有关该晶体管的信息。
“摩尔法则最起码还将继续存在至少10年”(英特尔 Technology and Manufacturing Group部门Components Research研究所的Director、Gerald Marcyk)。
“目前还看不到晶体管小型化的极限”(英特尔公司Logic Technology Development部门晶体管研究Director兼英特尔的Fellow、Robert Chau)。
此次开发的晶体管，与目前最快的晶体管(包括该公司去年推出的晶体管)相比尺寸小30%并且快25%。在1秒钟以内晶体管可以开关1兆次以上。利用该晶体管的微处理器“可以在眨眼之间进行约近10亿次计算”。
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