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韩国半导体大厂三星电子公司日前宣布率先开发领先全球的技术，可以生产４－ＧＢ（千兆位元）的动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ）芯片。
韩国三星电子公司发表的声明指出，已经完成一项４－ＧＢ的全密度回路设计，可以批量生产这种新ＤＲＡＭ芯片。据称，每个测试的４－ＧＢ ＤＲＡＭ芯片可以存储４２．９亿位元，相当于５亿个英文字母、普通报纸３．２万页、１６００张静态照片，或是６４小时的录音资料。这是全球首次使用０．１微米加工的技术。预期０．１微米加工新技术能将目前市场广泛使用的１２８ＭＢ或１５６ＭＢ ＤＲＡＭ生产成本降低６０％。三星公司预期４－ＧＢ ＤＲＡＭ约在２００４年才开始有市场需求。（九日）
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