|
图示：摩托罗拉256K非易失性MRAM基于由单一晶体管（1T）和单一磁性隧道结（MTJ）定义的一个存储单元，其读写周期低于50ns。存储器组织为16k x 16，在3V时写入功耗为24mW。
2001年2月7日，摩托罗拉实验室和半导体部DigitalDNA实验室合力推出磁致伸缩随机存取存储器（MRAM）技术，该技术将为480亿美元的半导体存储器市场带来巨变，并为全球数字消费电子市场提供创新产品和价格可承受的存储器应用方案。
摩托罗拉公司副总裁、半导体部首席技术官Padmasree Warrior女 士说："我们相信摩托罗拉作为第一家成功推出256K MRAM芯片的厂商 已经作好了成为业界领导者的准备。"
"通过在亚利桑那州Chandler的摩托罗拉8英寸芯片生产实验室，我们可以用更小微米生产更高密度和更高性能的MRAM。"摩托罗拉DigitalDNA实验室MRAM项目经理Saied Tehrani先生说："一旦MRAM开发 完成，我们就会迅速将其产品化。我们计划在2003年提供MRAM样品，并在2004年量产。"
消费者将从这一革命性存储器芯片技术中获得巨大收益，解决电脑和手机开机时间长、数据丢失、数据下载时间长和电池寿命短等问题。例如现在的电脑在开机时需要把信息从硬盘装载到内存上，有了MRAM之后，这一步就不在需要了。MRAM还具有断电不丢失性能，并可以消除手机开关机时的延迟。
MRAM的另一个先进之处是允许将多种存储器功能集成到一个芯片上，从而削减对多个存储器的需求、相应的成本和设备的大小，为消费者提供基于存储器功能的、极具成本效益的，并满足未来"智能"产品需求的应用方案。
"无线设备制造商需要高性能和非易失性存储器，MRAM将这两种功能结合在一起。它显著延长了电池寿命，降低了系统的复杂性，并提高了成本效益，"摩托罗拉副总裁、无线通信部总经理Omid Tahernia先 生说："另外，不象人所共知的铁电技术（FeRAM），MRAM的非破坏读出功能显著提高了耐久性。"
MRAM还可以用于汽车电子市场。摩托罗拉副总裁、先进汽车系统部总经理Paul Grimme先生说："未来的'智能汽车'对非易失性和大读 写周期存储器的需要将不断增长。我们非常兴奋地看到，MRAM将最终提供极具成本效益的、基于单一技术的汽车电子解决方案，满足系统对于大型和小型存储器、易失的和非易失性存储器的不同要求。"
Semico调查公司高级副总裁、工业分析师Sherry Garber女士预测 MRAM的快速读写和低成本的特性极有潜力替代快闪存储器和DRAM，从而占据大部分存储器市场。Semico调查公司2000年统计表明，全球存储器市场具有480亿美元的市场规模。她补充道："便携式应用方案市场的膨胀推动着业界寻找更优秀的存储器。MRAM显然是领跑者。凭借MRAM技术，摩托罗拉已经占尽了先机。" （冯军）
| 
