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多数个人电脑是靠动态随机存取内存芯片（DRAM）来维持正常运作，可是DRAM最大的缺点是一旦停电，资料就会全部流失。研究人员经过十年来的努力，已开发出磁态随机存取内存芯片（MRAM），可望取代DRAM，让电脑族摆脱停电的梦魇。
MRAM舍弃目前使用的电子充电方式，改以磁性储存资料位元，使电脑可以保持立即开机状态，且大幅减少耗电量。携带型电脑若改用MRAM，可以在不用光电池的情况下，待机若干年。
研究人员预料这种新芯片可望在2004年或2005年问世。
美国美光科技公司DRAM行销部门主管马佳洛表示，几乎所有内存制造商都投入MRAM的研究，“大家都说它是完美的芯片，这正是各大厂商投入开发的原因；不过，外界不应该认为它马上就能接收内存芯片市场，MRAM只有大量生产时才能有效降低成本，即使国际商业机器公司（IBM）也不敢预测有办法在2004年前生产MRAM。”
这项新技术是科学界研究自旋电子领域附带产生的结果，国防先进武器研究计划局（DARPA）主管伍尔夫表示，DARPA从1995年开始赞助自旋电子方面的研究，“我们认为自旋的特质可以提升内存体功能”。参与MRAM相关研究的民间企业包括IBM、摩托罗拉公司、霍尼韦尔公司（Honeywell）等。
据了解，MRAM比DRAM拥有更大的优点，因为DRAM是靠充电来储存0与1的数位资讯，而MRAM则是靠其磁性来储存资讯，所以即使断电，资料也不会荡然无存。
伍尔夫透露，经过五年的开发与逾5，000万美元的投资，由DARPA赞助的企业已推出MRAM的原型芯片，今年起官方不再出资，企业必须自行张罗资金。
IBM上个月宣布和德国Infineon科技公司结盟，准备共同研发MRAM，IBM科技与新产品部门副总裁达瓦利（BijanDavari）预测，如果一切顺利，MRAM可望在2004年正式量产。
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