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近一个研制下一代芯片制造技术的联合组织日前传来捷报，科技人员成功地研制了第一台利用远紫外线(euv)光刻技术的芯片制造设备，这标志着半导体工业在生产10GHz芯片的征途中已经迈出了可喜的一步。
目前，芯片制造商普遍使用深紫外线光刻技术，英特尔使用这种刻画技术可以制造厚度为100纳米的晶体管。但是，如果希望继续晶体管厚度，现在的刻画技术将成为不可逾越的障碍。而远紫外线光刻技术将允许商家制造出厚度仅为30纳米的晶体管，这是芯片制造技术上的一个关键突破。比较两种刻画技术，英特尔的工程师作了一个形象的比喻：如果在纸上画线，深紫外线光刻使用的是钝铅笔，而远紫外线光刻使用的是削尖了的铅笔。 60年代，英特尔公司的创始人之一摩尔预言：芯片里的晶体管数量将每隔18-24个月就增加一倍，而体积也会不断下降。30多年来，计算机芯片沿着摩尔根定律高速发展。但是，如果没有新的突破，现在的芯片制造技术将会在2004年山穷水尽。而远紫外线光刻技术使人们对硅的物理极限有了新看法，摩尔定律依然可以指引着芯片制造技术飞速发展。
现在研制的设备仅仅是一个试验，EUV LLC的技术人员将在接下来的几个月里对该设备进行试验，而真正的测试版本可能要等到2003年底才能研制出来，最终成熟的产品有望在2005年问世。最初的这类设备将用来制造70纳米的晶体管，这比人的头发丝还要细上几千倍。
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