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能替代闪存（Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ）、充当手机储存装置的ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ?磁随机存储器），由于具备低能耗、非挥发、半永久等特性，促使包含摩托罗拉、ＩＢＭ、Ｉｎｆｉｎｅｏｎ、三星电子、Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ等全球大厂竞相加速投入研发。
摩托罗拉已于５月发布了３Ｖ、１５ｎｓ存取速度的ＭＲＡＭ，其技术研发目前居业界领先地位。该公司指出，ＭＲＡＭ即使在存取１００万次后，性能仍不会衰减，而Ｆｌａｓｈ则会明显衰退，故ＭＲＡＭ具备半永久特性。ＩＢＭ率先在两年前开发出ＭＲＡＭ，近期则寻求Ｉｎｆｉｎｅｏｎ合作，希望将该技术发展至更成熟。Ｈｏｎｅｙｗｅｌｌ已着手研发能承受放射线的ＭＲＡＭ。此外，三星电子也计划在２００４年量产ＭＲＡＭ。
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