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日立公司日前开发出一种新型半导体存储器，其数据存储量与通用存储器的代表性产品DRAM（动态随机存取存储器）相当，而且耗电量降低到了DRAM的百分之一。这种新型存储器可应用在手机中，即可像PC一样存储大量的数据，并可以进行图像处理和声音输入。
该产品是通过对存储单元中控制信息进出的晶体管的构造进行改良后，实现大存储量和低功耗的。此次日立开发的新型存储器没有所谓的"电容器"，而是靠产生仅为6个硅元子厚度（50万分之一毫米）的狭窄的电流通道，并以通道中是否有被"关押"的电子来记忆信息的有无。由于信息存入DRAM后，少量的电子总是不停地从电容器中跑掉，因此通常情况下每隔0.1秒就必须进行一次重复写入，这就是DRAM耗电较大的直接原因。
而新型存储器采用通道构造，"关押"不含杂质的电子，从而具有了电子很少跑掉的特性。因此，以原先1%的重复写入的次数就可以确保信息的完整性。待机状态中，存储器中的电流强度为10微安，大体相当于DRAM的1%。
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