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Intel公司是目前第一家完成0.13微米芯片制造工艺开发工作的芯片制造商。本周二它宣称，Intel已经跨越了两个关键性的里程碑：它已经采用0.13微米芯片制造工艺，开发出静态随机存取存储器(RAM)芯片，此外，它又研制出以新型0.13微米工艺为基础的Pentium III芯片的样品。
Intel公司反复重申它对绰号叫P860的这项新工艺的计划，该公司指出，它的目标是在2001年上半年采用0.13微米制造工艺。0.13微米是指芯片内部的最小特征要素。一微米为百万分之一米。
据Intel公司技术和制造集团处理器体系结构和集成主管Mark Bohr称，更快和更有效的P860设计规则可生产出尺寸足够小的晶体管，从而可将一亿多只这样的晶体管装入单块芯片。Bohr指出，利用P860工艺制造的晶体管速度可增加50％到60％，与此同时消耗的功率要比P858晶体管减少大约20％。
0.13微米工艺将使用体积更小、速度更快的晶体管、铜互连件和低电容介质材料。而Intel公司当前的P858制造工艺使用铝互连件。互连件是连接晶体管的金属导线。
新型P860铜互连件和低电容介质材料可降低电阻高达40％，从而有助于绝缘和减少电信号阻力。P860工艺生产的晶体管将用1.3伏或更低电压运作，而P858工艺制造的晶体管使用1.5伏电压，因此P860工艺将允许Intel公司生产功率更低的芯片，这些芯片运行1伏或1伏以下电压。
在实现性能增加的同时，工艺压缩可帮助降低制造成本。因为工艺压缩也减少了芯片的尺寸，芯片制造厂商则可从单块大圆片中生产出更多的芯片，同时也可使它降低每块芯片的制造费用。通常这又可通过较低的价格把实惠转给客户。
Intel公司生产出的第一批0.13微米芯片很可能是移动Pentium III芯片，其代号叫Tualatin。首批移动Tualatin Pentium III芯片将是933MHz和1GHz芯片。它们定于明年第二季度投放市场。
Intel计划在2003年年底之前在九家生产工厂采用0.13微米制造工艺，该公司希望于2001年第一季度在美国俄勤冈州它的Fab 20工厂开始使用0.13微米工艺。Fab 22和D2工厂安排在明年第三季度开始使用这种新工艺。此外，Fab 17和24工厂计划在明年第四季度开始改用0.13微米制造工艺。
Intel公司透露，它将能重新利用其制造工厂大约70％的设备。该公司也计划在2002年第一季度开始利用较大的300毫米圆片来制造芯片，首先从其新建的Fab DIC工厂开始。Intel已指出，12英寸宽的圆片可比该公司当前使用的200毫米或8英寸圆片多生产出大约2.25倍的芯片。
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